三維激光直寫(xiě)系統(tǒng)利用偏振態(tài)可調(diào)的激光光束對(duì)基底表面的雙折射材料實(shí)施曝光。通過(guò)控制曝光光斑尺寸及光束偏振方向改變基底上液晶分子排布，曝光后顯影便可以在基底表面形成對(duì)應(yīng)的微納結(jié)構(gòu)圖案。
三維激光直寫(xiě)作光刻版的工藝流程和要求：
1. 制作光刻版的工藝流程：
a、繪制版圖文件；
b、轉(zhuǎn)圖，生成設(shè)備可曝光的文件格式，曝光圖形；
c、顯影，露出鉻層；
d、蝕刻，使用Cr蝕刻液濕法腐蝕；
e、使用濕法去除光刻掩膜版上的光刻膠層，并清洗甩干。
2. 制版工藝流程要求：
a、版圖繪制：可接受文件格式（后綴名）：CIF、DXF、GDSⅡ，文件名用全英文命名；
b、繪圖軟件：Klayout軟件繪制版圖，可直接生成可接受的格式文件，設(shè)備轉(zhuǎn)換出錯(cuò)率低；推薦L-edit軟件制圖，不要選擇默認(rèn)格式，繪制完成后通過(guò)“export”導(dǎo)出后綴名為可接受的格式；使用AutoCAD軟件繪圖，保存格式選擇設(shè)備可接受的格式，出錯(cuò)率較高。
建議：每種版圖軟件保存非默認(rèn)格式都有機(jī)會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤，請(qǐng)重新打開(kāi)軟件檢查自己的版圖
3. 圖層：
一個(gè)版圖文件可以包含多個(gè)圖層，但是一塊光刻掩膜版只對(duì)應(yīng)一個(gè)圖層上的圖形。如果需要制作多個(gè)光刻版，圖形之間存在套刻關(guān)系，請(qǐng)?jiān)诶L制圖形時(shí)，將圖形繪制在同一版圖文件的不同圖層（layer）上,并且設(shè)計(jì)統(tǒng)一大小的邊框，各層圖形的位置必須根據(jù)套刻關(guān)系嚴(yán)格對(duì)應(yīng)，并設(shè)置相應(yīng)的套刻標(biāo)記，以方便制版后的光刻操作。或者各個(gè)版圖文件分別保存獨(dú)立的文件（我們的設(shè)備可以選擇曝光哪一個(gè)layer,但不能選擇曝光哪一個(gè)cell）。
4. 版圖極性：
正圖（Non-Inverted）和反圖（Inverted）。正圖是指實(shí)體圖形區(qū)域（或者說(shuō)陰影區(qū)域）對(duì)應(yīng)掩膜版Cr層被鏤空的透光區(qū)域（polygons=glass）；反圖是指陰影圖形區(qū)域?qū)?yīng)光刻掩膜版鉻Cr層不透光區(qū)域。默認(rèn)情況版圖為正圖，有特殊說(shuō)明可提前與工程師聯(lián)系。
5. 對(duì)稱性：
版圖文件中的默認(rèn)圖形為掩膜版各面向上所呈現(xiàn)的圖形。掩膜版制好后，通過(guò)光刻機(jī)將圖形轉(zhuǎn)移到樣品表面時(shí)，圖形將會(huì)呈現(xiàn)水平鏡像翻轉(zhuǎn)。
